Chipkomponenten --- Dünnschichtwiderstände und Netzwerke
I. Übersicht
Unter Verwendung von Halbleiter-Dünnfilm-Vakuumverdampfung, Sputtern, Elektroplattieren, Fotolithografie, Lasertrimmen, Ritzen und anderen Prozessen, Mustermetallisierung auf der Oberfläche von Keramiksubstraten (oder speziellen Substraten), um bestimmte Funktionen wie Widerstand, Kapazität und Induktivität zu erreichen. Element.
2. Produkteigenschaften
Hohe Präzision, hohe Zuverlässigkeit, umfassender Ersatz von ausländischen importierten Komponenten
3. technische Indikatoren
Material: SiO2/Al2O3/AlN/Si;
Genauigkeit: Linienbreite/Linienabstandsgenauigkeit ±2,5 µm, Widerstandsgenauigkeit bis zu ±0,01 %
Metallisierung: Ti, Cu, Ni, Pt, Au, Dünnschichtwiderstände etc.; erfüllen die Anforderungen von Golddrahtbonden, SnPb/AuSn/AuSi/AuGe-Schweißen, leitfähiges Kleben.
Andere: TCR<±25ppm.
4. typische Produkte
Typische Produkte sind: Chip-Widerstände, Chip-Kondensatoren, Chip-Induktivitäten, Pyrotechnik
5 .Anwendungsbereiche
Luft- und Raumfahrt, Luftfahrt, Schifffahrt, Schiffe, Raketen, Medizin, Biologie, Ausrüstung und andere Bereiche.
Präzision Widerstand | Widerstandsmaterial | NiCr | TemperaturkoeffizientTCR(ppm/℃):±25--±5 |
Tantalnitrid | TemperaturkoeffizientTCR(ppm/℃):-100---50 | ||
Substratmaterial | Glaskeramik Siliziumwafer Aluminiumoxid Aluminiumnitrid | ||
Präzision | ±0,1 % - ±0,02 % | ||
Aufbau der Passivierungsschicht | SiO2+Si3N4、SiO2 | ||
Größe | 0404、0603、0805、1206Gemeinsame Spezifikationen | ||
Widerstandsbereich | 10Ω—1 MΩ | ||
Energie | 25mW–100mW | ||
Anwendbarer Temperaturbereich | -65℃--125℃ | ||
Präzision Widerstand Das Internet | Präzision | ±0,1 % - ±0,02 % | |
Relative Genauigkeit | ±0,02 % | ||
Genauigkeit des Temperatur-Tracking-Koeffizienten | ±0,02 %--±0,05 % | ||
Größe | Ausführung nach spezifischen Zeichnungen | ||
Paketformular | Chip-Oberflächenmontage, Keramikgehäuse, Verkapselungspaket usw. können je nach Kundenwunsch verwendet werden | ||
Temperaturkoeffizient | ±10 ppm | ||
Anwendbarer Temperaturbereich | -65℃--125℃ | ||
Antistatische Fähigkeit | 1500V-2000V |