HMSK4300 Pulsweitenmodulationsverstärker mit hoher Zuverlässigkeit

Sales HMSK4300 Pulsweitenmodulationsverstärker mit hoher Zuverlässigkeit

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Produktdetail  

1. Eigenschaften

75 V Volt Motorstromversorgung

10 A Ausgangsstromwandler-Fähigkeit,Alle N-Kanal-MOS-FET-Ausgangsbrückentyp
100 % Dead-High-Übertragungskapazität
Geeignet für DC bis 100 kHz AC PWM
Kurzschluss-/Querleitungsschutz
Schutz für Unterspannungsabschaltung
Steuerung für programmierbare Totzeit
Steuerung für aktive Abschaltung durch Low-Pegel
Das isolierte Gehäusedesign bietet eine Hochspannungsisolierung und eine hervorragende Wärmeübertragungsleistung
Arbeiten für optionales Drei-Fuß-Biegen

2. Anwendungen der HMSK4300-Isolierung des Rechteckwellenantriebs

Dreiphasiger bürstenloser Gleichstrom, Servoregler, dreiphasiger bürstenloser Wechselstrom, Kühlrippen-Aktuatorsteuerung, Induktionsmotorsteuerung, Drehzahlregelung des Klimaanlagenlüfters.

3. Beschreibung der HMSK4300-Isolierung des Rechteckwellenantriebs

HMSK4300 ist eine dreiphasige Brücke mit einem durch das Metallgehäuse versiegelten Gate, das 10 A ausgeben kann, die maximale Spannungsversorgung kann bis zu 75 V DC erreichen. Die Signalspannung verfügt über einen Unterspannungs-Sperrschutz, eine Querschlusskontrolle, eine frei programmierbare Totzeitkontrolle und eine Kurzschlussbegrenzung. Zusätzlich kann der Brückenausgang durch Low-Level-Shutdown gesteuert werden. Aufgrund der Isolationstechnologie des Gehäuses des HMSK4300 kann der interne MOSFET eine bessere Wärmeübertragungsleistung aufweisen und ermöglicht einen direkten Kontakt mit dem Gerät und dem Rippenaktuator ohne Isoliermaterial.
Diese Produktserie besteht aus einem Dickschicht-Hybrid-Prozess mit integrierter Metallversiegelung. Produktdesign und -herstellung erfüllen die Anforderungen von MIL-STD und detaillierte Spezifikationen, das Qualitätsniveau ist H-Klasse.

4. Technische Daten der HMSK4300-Isolierung des Rechteckwellenantriebs

Tabelle 2 Elektrische Eigenschaften

Parameter

Testbedingung

Eine Gruppe④

MSK4300H③

MSK4300②

Einheit

Auswahl kontrollieren



Mindest

Typisch

max

Mindest

Typisch

max


Statischer Ruhestrom

Alle Eingänge abschalten

1,2,3


2.5

8


2.5

8

mA

Arbeitsstrom

Frequenz u003d 20 kHz, 50 % Einschaltdauer

1,2,3


12.5

15


12.5

15

mA

Unterspannungsschwellenwert (Rückgang)


1

5.75

6.6

7.5

5.75

6.6

7.5

V

Schwellwert Unterspannung (Anstieg)


1

6.2

7.1

8

6.2

7.1

8

V

Niedrige Eingangsspannung①


-

-

-

0,8

-

-

0,8

V

Hohe Eingangsspannung①


-

2.7

-

-

2.7

-

-

V

Niedriger Eingangsstrom①

VINu003d0V

-

60

100

135

60

100

135

Mikroampere

Hoher Eingangsstrom①

VINu003d5V

-

-1

-

+1

-1

-

+1

Mikroampere

Ausgangsbrücke

Drain-Source-Durchbruchspannung

ID u003d 25 μA, alle Eingänge abschalten

-

70

-

-

70

-

-

V

Drain-Source-Leckstrom

VDSu003d70V

-

-

-

25

-

-

25

Mikroampere

Drain-Source-Einschaltwiderstand (jeder FET)

IDu003d10A

1

-

-

0,3

-

-

0,3

Ohm

Drain-Source-Einschaltwiderstand (FET ,nur für thermische Berechnung)①


-

-

-

0,16

-

-

0,16

Ohm

Schaltcharakteristik

Aufstehzeit

V+u003d30V,RLu003d3Ω

-

5

-

-

5

-

Nanosekunde


Zeit ablehnen

IDu003d10A

-

-

-

-

6

-

Nanosekunde


Leitungsverzögerung (unten)

SWR-Widerstandu003d∞

4

-

0,5

2

-

0,5

3

Mikrosekunde

Abschaltverzögerung (down)

SWR-Widerstandu003d∞

4

-

5

8

-

5

10

Mikrosekunde

Leitungsverzögerung (nach oben)

SWR-Widerstandu003d∞

4

-

5

8

-

5

10

Mikrosekunde

Abschaltverzögerung (nach oben)

SWR-Widerstandu003d∞

4

-

0,5

2

-

0,5

3

Mikrosekunde

Todeszeit

SWR-Widerstandu003d∞

4

6

7

8

6

7

8

Mikrosekunde

Todeszeit

SWR-Widerstand 12K

4

0,3

0,5

0,7

0,3

0,5

0,7

Mikrosekunde

Eigenschaften der Source-Drain-Diode

Durchlassspannung①

ISDu003d10A

-

-

1.05

1.25

-

1.05

1.25

V

Reverse-Wiederherstellungszeit①

ISDu003d10A,di/dtu003d100A/μS

-

-

75

-

-

75

-

Nanosekunde


5. Pin-Bezeichnungen der HMSK4300-Isolierung des Rechteckwellenantriebs

Tabelle 3 Stiftbezeichnungen

Stift

Symbol

Bezeichnung

Stift

Symbol

Bezeichnung

1

BH′

B-Kanal-Logiksignaleingang mit hohem Pegel

6

VBIAS

Stromversorgung für Gate Drive

2

BL

B-Kanal-Logiksignaleingang mit niedrigem Pegel

7

DE′

Arbeitsfreigabe für System

3

AL

Ein Kanal-Low-Pegel-Logiksignaleingang

8

CL

C-Kanal-Logiksignaleingang mit niedrigem Pegel

4

AH'

Ein Kanal-Logiksignaleingang mit hohem Pegel

9

CH'

C-Kanal-Logiksignaleingang mit hohem Pegel

5

SWR′

Totzeitsteuerung

10

Masse

Masse

11

Dreiphasen-Brücken-C-Kanal-Ausgang

12

RSENSE

Stromversorgung GND

13

RSENSE

Stromversorgung GND

14

Dreiphasenbrücke Ein Kanalausgang

15

V+

+28V

16

V+

+28V anschließen

17

B-Kanal-Ausgang der Dreiphasenbrücke

18

NC

aussetzen


6. Blockschaltbild der HMSK4300-Isolierung des Rechteckwellenantriebs

Der Pulsweitenmodulationsverstärker enthält eine Signalverarbeitungsschaltung, eine Halbbrückentreiberschaltung und einen Leistungsverstärker.
Circuit block diagram
Abbildung 2 Arbeitsblockdiagramm eines einzelnen Kanals

Ein Dreieckswellensignal wird durch das Eingangssteuersignal und die Rechteckwellengeneratorschaltung erzeugt, die Wirkung des Dreieckswellensignals und des festen Pegels kann ein breitenmoduliertes Rechteckwellensignal erzeugen. Die Treiberschaltung kann das frontbreitenmodulierte Rechteckwellensignal isolieren und verteilen und dann die Leistungsröhren ansteuern, um einen Leistungsverstärker und eine Antriebslast für den Gleichstrommotor herzustellen.

7. Typisches Anschlussdiagramm der HMSK4300-Isolierung des Rechteckwellenantriebs


Typical Connection Diagram
Abbildung 3 HMSK4300-Anschlussdiagramm

8. Paketspezifikationen der HMSK4300-Isolierung des Rechteckwellenantriebs


Package Specifications

Package Specifications
Abbildung 5 Umrisszeichnung des Pakets

Anwendungshinweise entnehmen Sie bitte dem Anhang, unbedingt lesen.
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