75 V Volt Motorstromversorgung | |
10 A Ausgangsstromwandler-Fähigkeit,Alle N-Kanal-MOS-FET-Ausgangsbrückentyp | |
100 % Dead-High-Übertragungskapazität | |
Geeignet für DC bis 100 kHz AC PWM | |
Kurzschluss-/Querleitungsschutz | |
Schutz für Unterspannungsabschaltung | |
Steuerung für programmierbare Totzeit | |
Steuerung für aktive Abschaltung durch Low-Pegel | |
Das isolierte Gehäusedesign bietet eine Hochspannungsisolierung und eine hervorragende Wärmeübertragungsleistung | |
Arbeiten für optionales Drei-Fuß-Biegen |
Parameter | Testbedingung | Eine Gruppe④ | MSK4300H③ | MSK4300② | Einheit | |||||||||||||||
Auswahl kontrollieren | Mindest | Typisch | max | Mindest | Typisch | max | ||||||||||||||
Statischer Ruhestrom | Alle Eingänge abschalten | 1,2,3 | 2.5 | 8 | 2.5 | 8 | mA | |||||||||||||
Arbeitsstrom | Frequenz u003d 20 kHz, 50 % Einschaltdauer | 1,2,3 | 12.5 | 15 | 12.5 | 15 | mA | |||||||||||||
Unterspannungsschwellenwert (Rückgang) | 1 | 5.75 | 6.6 | 7.5 | 5.75 | 6.6 | 7.5 | V | ||||||||||||
Schwellwert Unterspannung (Anstieg) | 1 | 6.2 | 7.1 | 8 | 6.2 | 7.1 | 8 | V | ||||||||||||
Niedrige Eingangsspannung① | - | - | - | 0,8 | - | - | 0,8 | V | ||||||||||||
Hohe Eingangsspannung① | - | 2.7 | - | - | 2.7 | - | - | V | ||||||||||||
Niedriger Eingangsstrom① | VINu003d0V | - | 60 | 100 | 135 | 60 | 100 | 135 | Mikroampere | |||||||||||
Hoher Eingangsstrom① | VINu003d5V | - | -1 | - | +1 | -1 | - | +1 | Mikroampere | |||||||||||
Ausgangsbrücke | ||||||||||||||||||||
Drain-Source-Durchbruchspannung | ID u003d 25 μA, alle Eingänge abschalten | - | 70 | - | - | 70 | - | - | V | |||||||||||
Drain-Source-Leckstrom | VDSu003d70V | - | - | - | 25 | - | - | 25 | Mikroampere | |||||||||||
Drain-Source-Einschaltwiderstand (jeder FET) | IDu003d10A | 1 | - | - | 0,3 | - | - | 0,3 | Ohm | |||||||||||
Drain-Source-Einschaltwiderstand (FET ,nur für thermische Berechnung)① | - | - | - | 0,16 | - | - | 0,16 | Ohm | ||||||||||||
Schaltcharakteristik | ||||||||||||||||||||
Aufstehzeit | V+u003d30V,RLu003d3Ω | - | 5 | - | - | 5 | - | Nanosekunde | ||||||||||||
Zeit ablehnen | IDu003d10A | - | - | - | - | 6 | - | Nanosekunde | ||||||||||||
Leitungsverzögerung (unten) | SWR-Widerstandu003d∞ | 4 | - | 0,5 | 2 | - | 0,5 | 3 | Mikrosekunde | |||||||||||
Abschaltverzögerung (down) | SWR-Widerstandu003d∞ | 4 | - | 5 | 8 | - | 5 | 10 | Mikrosekunde | |||||||||||
Leitungsverzögerung (nach oben) | SWR-Widerstandu003d∞ | 4 | - | 5 | 8 | - | 5 | 10 | Mikrosekunde | |||||||||||
Abschaltverzögerung (nach oben) | SWR-Widerstandu003d∞ | 4 | - | 0,5 | 2 | - | 0,5 | 3 | Mikrosekunde | |||||||||||
Todeszeit | SWR-Widerstandu003d∞ | 4 | 6 | 7 | 8 | 6 | 7 | 8 | Mikrosekunde | |||||||||||
Todeszeit | SWR-Widerstand 12K | 4 | 0,3 | 0,5 | 0,7 | 0,3 | 0,5 | 0,7 | Mikrosekunde | |||||||||||
Eigenschaften der Source-Drain-Diode | ||||||||||||||||||||
Durchlassspannung① | ISDu003d10A | - | - | 1.05 | 1.25 | - | 1.05 | 1.25 | V | |||||||||||
Reverse-Wiederherstellungszeit① | ISDu003d10A,di/dtu003d100A/μS | - | - | 75 | - | - | 75 | - | Nanosekunde |
Stift | Symbol | Bezeichnung | Stift | Symbol | Bezeichnung |
1 | BH′ | B-Kanal-Logiksignaleingang mit hohem Pegel | 6 | VBIAS | Stromversorgung für Gate Drive |
2 | BL | B-Kanal-Logiksignaleingang mit niedrigem Pegel | 7 | DE′ | Arbeitsfreigabe für System |
3 | AL | Ein Kanal-Low-Pegel-Logiksignaleingang | 8 | CL | C-Kanal-Logiksignaleingang mit niedrigem Pegel |
4 | AH' | Ein Kanal-Logiksignaleingang mit hohem Pegel | 9 | CH' | C-Kanal-Logiksignaleingang mit hohem Pegel |
5 | SWR′ | Totzeitsteuerung | 10 | Masse | Masse |
11 | CΦ | Dreiphasen-Brücken-C-Kanal-Ausgang | 12 | RSENSE | Stromversorgung GND |
13 | RSENSE | Stromversorgung GND | 14 | AΦ | Dreiphasenbrücke Ein Kanalausgang |
15 | V+ | +28V | 16 | V+ | +28V anschließen |
17 | BΦ | B-Kanal-Ausgang der Dreiphasenbrücke | 18 | NC | aussetzen |