Wasserstoff wird bei der Kristallzüchtung und Kontrastpräparation, bei Oxidationsprozessen, Epitaxieprozessen und chemischen Abscheidungen (CVD) verwendet. Die Halbleiterindustrie hat hohe Anforderungen an die Gasreinheit. Der Einbau von Spurenverunreinigungen verändert die Oberflächenaktivität von Halbleitern. Wenn SIHCI3 aus Silizium durch Chlorwasserstoff erzeugt wird, wird es durch einen Fraktionierungsprozess getrennt und bei hoher Temperatur durch Wasserstoff reduziert, um die Reinheitsanforderungen von Halbleitern zu erfüllen: SIHCI3 + H2 --- -Si+3HCI. Das Reinheitserfordernis von Wasserstoff ist bei dem obigen Verfahren sehr hoch. Die Verunreinigungen von Kohlenmonoxid und Kohlendioxid in Wasserstoff oxidieren das Substrat und bilden Polysilizium. Wenn es Methan enthält, bildet es Siliziumkarbid in der Außenschicht und verursacht Defekte. In der Vergangenheit lag der Sauerstoffgehalt unter 1 * 10-6 und der Taupunkt unter -70 ° C, aber jetzt ist es anspruchsvoller. Die Wasserstoffproduktion durch Wasserelektrolyse kann die hohen Anforderungen von Halbleitern an Wasserstoff erfüllen.
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